창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI029N06N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPI029N06N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 75µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI029N06NAKSA1 SP000962134 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI029N06N | |
관련 링크 | IPI02, IPI029N06N Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | C0402C181J8GACTU | 180pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C181J8GACTU.pdf | |
![]() | C0603C479K8GACTU | 4.7pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C479K8GACTU.pdf | |
![]() | 12063C225MAT2A | 2.2µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12063C225MAT2A.pdf | |
![]() | AQ135M821JA1ME | 820pF 50V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ135M821JA1ME.pdf | |
![]() | 416F48035CDR | 48MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48035CDR.pdf | |
![]() | FXO-HC735R-155.52 | 155.52MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | FXO-HC735R-155.52.pdf | |
![]() | FN2070-10-07 | FILTER MULTI-STAGE PERFORM 10A | FN2070-10-07.pdf | |
NRS6028T100MMGK | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 84.5 mOhm Max Nonstandard | NRS6028T100MMGK.pdf | ||
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