창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI032N06N3GAKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB029N06N3G, IPI/IPP032N06N3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 118µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000680650 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI032N06N3GAKSA1 | |
관련 링크 | IPI032N0, IPI032N06N3GAKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | S0603-10NH2D | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 160 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-10NH2D.pdf | |
![]() | RG3216P-3000-B-T1 | RES SMD 300 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-3000-B-T1.pdf | |
![]() | RT1210FRE0710KL | RES SMD 10K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRE0710KL.pdf | |
![]() | RT0805BRE071K43L | RES SMD 1.43K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE071K43L.pdf | |
![]() | Y17451K00000Q0L | RES SMD 1K OHM 0.02% 1/4W J LEAD | Y17451K00000Q0L.pdf | |
![]() | 41F1K1 | RES 1.1K OHM 1W 1% AXIAL | 41F1K1.pdf | |
![]() | LTM9001IV-AD#PBF | RF IC IF to Baseband Receiver 0Hz ~ 300MHz 16-Bit ADC 81-LGA (11.25x11.25) | LTM9001IV-AD#PBF.pdf |