Infineon Technologies IPI045N10N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPI045N10N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPI045N10N3 G 가격 및 조달
가능 수량
1436 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,835.76000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPI045N10N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPI045N10N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI045N10N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPI045N10N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPI045N10N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI045N10N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI045N10N3G IPI045N10N3GXKSA1 SP000482424 SP000683068 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPI045N10N3 G | |
| 관련 링크 | IPI045, IPI045N10N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPI045N10N3 G 의 관련 제품
 | C0603X5R1E104K030BB | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603X5R1E104K030BB.pdf | |
 | 12065A151KAT2A | 150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A151KAT2A.pdf | |
 | VJ0805D3R3CLXAP | 3.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R3CLXAP.pdf | |
-2.2.jpg) | CGA6M3X8R2A474M200AE | 0.47µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M3X8R2A474M200AE.pdf | |
| UP050B821K-KEC | 820pF 50V 세라믹 커패시터 B 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050B821K-KEC.pdf | |
| BFC246925474 | 0.47µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.165" W (12.50mm x 4.20mm) | BFC246925474.pdf | |
 | 1N5946APE3/TR12 | DIODE ZENER 75V 1.5W DO204AL | 1N5946APE3/TR12.pdf | |
 | PSMN4R6-60PS,127 | MOSFET N-CH 60V TO220AB | PSMN4R6-60PS,127.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ1005P5N6CTD25 | 5.6nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 130 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MHQ1005P5N6CTD25.pdf | |
 | RMCF1210FT29R4 | RES SMD 29.4 OHM 1% 1/2W 1210 | RMCF1210FT29R4.pdf | |
.jpg) | RT1206FRE07510RL | RES SMD 510 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE07510RL.pdf | |
 | RC1218FK-0720KL | RES SMD 20K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218FK-0720KL.pdf |
