창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI045N10N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8410pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI045N10N3G IPI045N10N3GXKSA1 SP000482424 SP000683068 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI045N10N3 G | |
관련 링크 | IPI045, IPI045N10N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
K393K10X7RF5UL2 | 0.039µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K393K10X7RF5UL2.pdf | ||
173D335X9025V | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 25V Axial 0.110" Dia x 0.290" L (2.79mm x 7.37mm) | 173D335X9025V.pdf | ||
5KP58 | TVS DIODE 58VWM 98.28VC P600 | 5KP58.pdf | ||
SMDA05C-8E3/TR7 | TVS DIODE 5VWM 11VC 14SOIC | SMDA05C-8E3/TR7.pdf | ||
V10E11P | VARISTOR 18V 2KA DISC 10MM | V10E11P.pdf | ||
TNPW251218K0BETG | RES SMD 18K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251218K0BETG.pdf | ||
H81M0BCA | RES 1.00M OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H81M0BCA.pdf | ||
CP0020820R0KE66 | RES 820 OHM 20W 10% AXIAL | CP0020820R0KE66.pdf | ||
Y00141K00000T9L | RES 1K OHM 1/5W 0.01% AXIAL | Y00141K00000T9L.pdf | ||
SST12LP17E-QU8E | RF Amplifier IC 802.11b/g/n 2.4GHz ~ 2.5GHz 8-uDFN (2x2) | SST12LP17E-QU8E.pdf | ||
CQ2063 | Current Sensor 50A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | CQ2063.pdf | ||
CX-481-J | SENS PHOTO 50-500MM 12-24VDC NPN | CX-481-J.pdf |