창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI200N25N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx200N25N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 64A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI200N25N3G IPI200N25N3GAKSA1 SP000714308 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI200N25N3 G | |
관련 링크 | IPI200, IPI200N25N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 766161105GPTR13 | RES ARRAY 15 RES 1M OHM 16SOIC | 766161105GPTR13.pdf | |
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![]() | MW7IC930NR1 | RF Amplifier IC W-CDMA 728MHz ~ 768MHz, 920MHz ~ 960MHz TO-270 WBL-16 | MW7IC930NR1.pdf | |
![]() | 1B0320-3 | RF Directional Coupler Military 1.7GHz ~ 2.5GHz 3dB 100W | 1B0320-3.pdf | |
![]() | BU-21771-000 | MIC ACCELEROMETER VIBRATE SENSE | BU-21771-000.pdf |