창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI600N25N3GAKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx600N25N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI600N25N3 G IPI600N25N3 G-ND IPI600N25N3G SP000714316 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI600N25N3GAKSA1 | |
관련 링크 | IPI600N2, IPI600N25N3GAKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ASTMHTFL-20.000MHZ-ZC-E-T | 20MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-20.000MHZ-ZC-E-T.pdf | |
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![]() | RMCF1210FT510R | RES SMD 510 OHM 1% 1/2W 1210 | RMCF1210FT510R.pdf | |
![]() | PHP00603E2942BBT1 | RES SMD 29.4K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E2942BBT1.pdf | |
![]() | TNPW12101M82BEEN | RES SMD 1.82M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101M82BEEN.pdf | |
![]() | Y1485V0287BA0W | RES NETWORK 2 RES MULT OHM 1610 | Y1485V0287BA0W.pdf | |
![]() | RNX0254M75FKEE | RES 4.75M OHM 1% 100 PPM 0.5W | RNX0254M75FKEE.pdf | |
![]() | Y1453158R000V9L | RES 158 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y1453158R000V9L.pdf | |
![]() | SSCSNBN001NDAA3 | Pressure Sensor ±0.04 PSI (±0.25 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.33 V ~ 2.97 V 4-SIP, Dual Ports, Same Side | SSCSNBN001NDAA3.pdf |