창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI60R099CPAAKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPI60R099CPA | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 255W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI60R099CPA IPI60R099CPA-ND SP000315454 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI60R099CPAAKSA1 | |
관련 링크 | IPI60R09, IPI60R099CPAAKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TNPW12101M02BEEN | RES SMD 1.02M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101M02BEEN.pdf | |
![]() | 2691 | FONA 3G CELLULAR BREAKOUT | 2691.pdf | |
![]() | 26PCDFG2G | Pressure Sensor ±30 PSI (±206.84 kPa) Compound Male - 0.14" (3.56mm) Tube 0 mV ~ 100 mV (10V) 4-SIP Module | 26PCDFG2G.pdf | |
![]() | P61-1500-S-A-I24-5V-C | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P61-1500-S-A-I24-5V-C.pdf |