창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI60R190C6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx60R190C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI60R190C6 IPI60R190C6-ND SP000660618 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI60R190C6XKSA1 | |
관련 링크 | IPI60R19, IPI60R190C6XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CSTCE11M0G55-R0 | 11MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 33pF ±0.2% -20°C ~ 80°C Surface Mount | CSTCE11M0G55-R0.pdf | |
![]() | MP6-3I-4EE-4NN-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-3I-4EE-4NN-00.pdf | |
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![]() | 4470R-32J | 390µH Unshielded Molded Inductor 180mA 15.5 Ohm Max Axial | 4470R-32J.pdf | |
![]() | RR1220P-364-D | RES SMD 360K OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-364-D.pdf | |
![]() | AA1206FR-0739K2L | RES SMD 39.2K OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-0739K2L.pdf | |
![]() | Y11721K58000B9R | RES SMD 1.58KOHM 0.1% 1/10W 0805 | Y11721K58000B9R.pdf | |
![]() | CRCW1206100MJPTAHR | RES SMD 100M OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW1206100MJPTAHR.pdf | |
![]() | P51-100-S-AD-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-S-AD-M12-4.5V-000-000.pdf |