Infineon Technologies IPI65R099C6XKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPI65R099C6XKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPI65R099C6XKSA1 가격 및 조달
가능 수량
1625 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,704.62500
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPI65R099C6XKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPI65R099C6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI65R099C6XKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPI65R099C6XKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPI65R099C6XKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI65R099C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx65R099C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 12.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 127nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2780pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPI65R099C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI65R09, IPI65R099C6XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPI65R099C6XKSA1 의 관련 제품
 | MAL212386151E3 | 150µF 25V Aluminum Capacitors Axial, Can 2.1 Ohm @ 100Hz 20000 Hrs @ 125°C | MAL212386151E3.pdf | |
 | C0603X102K2RAC7867 | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603X102K2RAC7867.pdf | |
 | 06031C332JAZ2A | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031C332JAZ2A.pdf | |
 | SMAJ13CA-TP | TVS DIODE 13VWM 21.5VC SMA | SMAJ13CA-TP.pdf | |
 | 9C15000211 | 25MHz ±20ppm 수정 20pF -20°C ~ 80°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C15000211.pdf | |
 | 416F40035ALT | 40MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40035ALT.pdf | |
 | BAS70-05-E3-18 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23 | BAS70-05-E3-18.pdf | |
 | IPD60R385CPATMA1 | MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 | IPD60R385CPATMA1.pdf | |
 | RG3216P-5110-B-T5 | RES SMD 511 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-5110-B-T5.pdf | |
 | 768161512GPTR13 | RES ARRAY 15 RES 5.1K OHM 16SOIC | 768161512GPTR13.pdf | |
 | CMF551R2000FKBF | RES 1.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551R2000FKBF.pdf | |
 | EQ-430L | SENSOR LINEAR HALL EFFECT 3SMD | EQ-430L.pdf |
