창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N04S204AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80N04S2-04 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N04S2-04 IPI80N04S2-04-ND SP000219058 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI80N04S204AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N04, IPI80N04S204AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ELJ-ND27NKF | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 455mA 340 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | ELJ-ND27NKF.pdf | |
![]() | PA4303.223NLT | 22µH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 75 mOhm Max Nonstandard | PA4303.223NLT.pdf | |
![]() | 35221K1FT | RES SMD 1.1K OHM 1% 3W 2512 | 35221K1FT.pdf | |
![]() | RT0402CRD0739R2L | RES SMD 39.2OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRD0739R2L.pdf | |
![]() | TNPW0805820RBEEN | RES SMD 820 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805820RBEEN.pdf | |
![]() | MBA02040C2202FC100 | RES 22K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2202FC100.pdf | |
![]() | CMF505K2300FKR6 | RES 5.23K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF505K2300FKR6.pdf | |
![]() | CW02B3K900JE70HS | RES 3.9K OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B3K900JE70HS.pdf |