창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S207AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80N06S2-07 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 68A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N06S2-07 IPI80N06S2-07-ND SP000218817 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI80N06S207AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N06, IPI80N06S207AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | BF014E0102J | 1000pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.295" L x 0.098" W (7.50mm x 2.50mm) | BF014E0102J.pdf | |
![]() | 403C35A16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35A16M00000.pdf | |
![]() | SI4559ADY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC | SI4559ADY-T1-GE3.pdf | |
![]() | FPS300032 | AC/DC CONVERTER 32V 3000W | FPS300032.pdf | |
![]() | FP3-R47-R | 470nH Unshielded Wirewound Inductor 10.9A 3.67 mOhm Max Nonstandard | FP3-R47-R.pdf | |
![]() | RG1608N-1403-W-T5 | RES SMD 140KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-1403-W-T5.pdf | |
![]() | D2TO020C82R00JTE3 | RES SMD 82 OHM 5% 20W TO263 | D2TO020C82R00JTE3.pdf | |
2-1002150-0 | SENSOR VIBRATION | 2-1002150-0.pdf |