창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S2L11AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80N06S2L-11 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 93µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2075pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 158W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N06S2L-11 IPI80N06S2L-11-ND SP000218176 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPI80N06S2L11AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N06S, IPI80N06S2L11AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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VJ0603D470FXXAC | 47pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D470FXXAC.pdf | ||
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