창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPL60R650P6SATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPL60R650P6S | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 557pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 56.8W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-ThinPak(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | IPL60R650P6SATMA1TR SP001163080 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPL60R650P6SATMA1 | |
관련 링크 | IPL60R65, IPL60R650P6SATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | C4036NLT | RF Power Divider 5MHz ~ 1GHz Isolation (Min) 10dB | C4036NLT.pdf | |
![]() | P51-300-G-O-P-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-G-O-P-5V-000-000.pdf |