Infineon Technologies IPL65R660E6AUMA1

IPL65R660E6AUMA1
제조업체 부품 번호
IPL65R660E6AUMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 4VSON
Datesheet 다운로드
다운로드
IPL65R660E6AUMA1 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 884.34800
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IPL65R660E6AUMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPL65R660E6AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL65R660E6AUMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IPL65R660E6AUMA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPL65R660E6AUMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPL65R660E6AUMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPL65R660E6
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™ E6
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs660m옴 @ 2.1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 200µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds440pF @ 100V
전력 - 최대63W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-PowerTSFN
공급 장치 패키지Thin-Pak(8x8)
표준 포장 3,000
다른 이름SP000895212
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IPL65R660E6AUMA1
관련 링크IPL65R66, IPL65R660E6AUMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPL65R660E6AUMA1 의 관련 제품
680µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 170 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C B43508E2687M62.pdf
9µF Film Capacitor 900V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.728" W (43.00mm x 18.50mm) MKP1848590094P2.pdf
10µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 1.2 Ohm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) T496D106K025ATE1K2.pdf
6.8µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) TH3C685M035C1800.pdf
FUSE CERAMIC 1.6A 250VAC AXIAL 067601.6DRT4P.pdf
POLYSWITCH PTC RESET 9A RUEF900-2.pdf
TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMCJ SMLJ40CA-TP.pdf
66MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) DSC1001BI2-066.0000T.pdf
MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-TSOP AO6400.pdf
RES SMD 5.36K OHM 1% 1/10W 0603 AA0603FR-075K36L.pdf
RES SMD 287K OHM 1/2W 1206 WIDE RCL0612287KFKEA.pdf
Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder P51-75-S-J-I36-20MA-000-000.pdf