Infineon Technologies IPP023NE7N3 G

IPP023NE7N3 G
제조업체 부품 번호
IPP023NE7N3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
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내부 부품 번호EIS-IPP023NE7N3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
표준 포장 500
다른 이름IPP023NE7N3 G E8177
IPP023NE7N3 G E8177-ND
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3 GTR-ND
IPP023NE7N3G
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
IPP023NE7N3GXKSA1
SP000641722
SP000938080
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)75V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.3m옴 @ 100A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.8V @ 273µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs206nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds14400pF @ 37.5V
전력 - 최대300W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지PG-TO220-3-1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPP023NE7N3 G
관련 링크IPP023, IPP023NE7N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPP023NE7N3 G 의 관련 제품
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560nH Unshielded Inductor 550mA 500 mOhm Max 2-SMD 1330-14G.pdf
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RES SMD 4.64K OHM 1% 1/16W 0402 RT0402FRE074K64L.pdf
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RES SMD 3 OHM 1W 1812 WIDE RCL12183R00JNEK.pdf
RES 69.8 OHM 0.4W 1% AXIAL MBA02040C6989FRP00.pdf
RES 499 OHM 0.6W 0.1% RADIAL Y0786499R000B0L.pdf
Pressure Sensor 2 PSI (13.79 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube PPT0002GWW2VA.pdf