Infineon Technologies IPP024N06N3GXKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPP024N06N3GXKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPP024N06N3GXKSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,423.81800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPP024N06N3GXKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPP024N06N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP024N06N3GXKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPP024N06N3GXKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPP024N06N3GXKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP024N06N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx021,24N06N3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 196µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 275nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP024N06N3 G IPP024N06N3 G-ND IPP024N06N3G SP000680764 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPP024N06N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP024N0, IPP024N06N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPP024N06N3GXKSA1 의 관련 제품
 | MAL210176684E3 | 680000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL210176684E3.pdf | |
-28.jpg) | C4532X5R1C336M250KA | 33µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C4532X5R1C336M250KA.pdf | |
 | 06035G472ZAT2A | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035G472ZAT2A.pdf | |
 | 416F36012CLT | 36MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36012CLT.pdf | |
| 416F27033IDT | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27033IDT.pdf | |
 | FXO-LC535-175 | 175MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FXO-LC535-175.pdf | |
| RL101TA | DIODE GEN PURP 50V 1A A-405 | RL101TA.pdf | |
 | 1N5922PE3/TR12 | DIODE ZENER 7.5V 1.5W DO204AL | 1N5922PE3/TR12.pdf | |
| NRS8040T6R8NJGJV | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 32.5 mOhm Max Nonstandard | NRS8040T6R8NJGJV.pdf | |
 | HRG3216P-3160-B-T5 | RES SMD 316 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-3160-B-T5.pdf | |
 | PWR1913WR010JE | RES SMD 0.01 OHM 5% 1/2W 1913 | PWR1913WR010JE.pdf | |
| Y00581K30000B0L | RES 1.3K OHM 0.3W 0.1% AXIAL | Y00581K30000B0L.pdf |
