창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP024N06N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx021,24N06N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 196µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 275nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP024N06N3 G IPP024N06N3 G-ND IPP024N06N3G SP000680764 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP024N06N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP024N0, IPP024N06N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ECJ-3YB0J825K | 8.2µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | ECJ-3YB0J825K.pdf | |
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![]() | C0603C680F1GALTU | 68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C680F1GALTU.pdf | |
![]() | 199D475X0010A1V1E3 | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V Radial 0.173" Dia (4.40mm) | 199D475X0010A1V1E3.pdf | |
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TANGO17/3M/SMAM/S/S/26 | 850MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz GPRS, GSM, UMTS Dome RF Antenna 2dBi Connector, SMA Male Panel Mount | TANGO17/3M/SMAM/S/S/26.pdf | ||
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