창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP028N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPP,IPI028N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 206nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14200pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP028N08N3 G IPP028N08N3 G-ND IPP028N08N3G SP000680766 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP028N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP028N0, IPP028N08N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
VJ0603D240KXXAP | 24pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D240KXXAP.pdf | ||
5HFP 1.6 | FUSE CERAMIC 1.6A 250VAC 5X20MM | 5HFP 1.6.pdf | ||
TS353T23IET | 35.328MHz ±20ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS353T23IET.pdf | ||
SRU1038-6R8Y | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 3.9A 35 mOhm Nonstandard | SRU1038-6R8Y.pdf | ||
M0820-44K | 6.8µH Unshielded Inductor 114mA 3.6 Ohm Max Nonstandard | M0820-44K.pdf | ||
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RLP73K1J1R0FTDF | RES SMD 1 OHM 1% 1/8W 0603 | RLP73K1J1R0FTDF.pdf | ||
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TNPW120610R2BEEA | RES SMD 10.2 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120610R2BEEA.pdf | ||
RN73C1J196RBTDF | RES SMD 196 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J196RBTDF.pdf | ||
CW010100R0JE12HS | RES 100 OHM 13W 5% AXIAL | CW010100R0JE12HS.pdf | ||
MLX90364LVS-ADD-200-SP | IC POSITION SENSOR PROGR DMPS4 | MLX90364LVS-ADD-200-SP.pdf |