창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP032N06N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB029N06N3G, IPI/IPP032N06N3G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 118µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 165nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP032N06N3 G IPP032N06N3 G-ND IPP032N06N3G SP000680770 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP032N06N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP032N0, IPP032N06N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MKP385643016JPP4T0 | 43µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP385643016JPP4T0.pdf | |
![]() | 416F32013AKT | 32MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013AKT.pdf | |
![]() | SIT8008AC-23-33E-18.43200D | OSC XO 3.3V 18.432MHZ OE | SIT8008AC-23-33E-18.43200D.pdf | |
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![]() | SMBJ5378A/TR13 | DIODE ZENER 100V 5W SMBJ | SMBJ5378A/TR13.pdf | |
![]() | IPW65R110CFD | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | IPW65R110CFD.pdf | |
![]() | CRCW0805390KFKTA | RES SMD 390K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805390KFKTA.pdf | |
![]() | EXB-N8V133JX | RES ARRAY 4 RES 13K OHM 0804 | EXB-N8V133JX.pdf |