창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP052NE7N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPP,IPI052NE7N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 91µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 37.5V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP052NE7N3 G IPP052NE7N3 G-ND IPP052NE7N3G SP000641726 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP052NE7N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP052NE, IPP052NE7N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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RSMF12JB220R | RES MO 1/2W 220 OHM 5% AXIAL | RSMF12JB220R.pdf | ||
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![]() | CMF55316R00FHEK | RES 316 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55316R00FHEK.pdf | |
![]() | Y001390R0000T9L | RES 90 OHM 2W 0.01% RADIAL | Y001390R0000T9L.pdf | |
![]() | P51-500-S-O-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-500-S-O-M12-4.5V-000-000.pdf |