창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP052NE7N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPP,IPI052NE7N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 91µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 37.5V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP052NE7N3 G IPP052NE7N3 G-ND IPP052NE7N3G SP000641726 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP052NE7N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP052NE, IPP052NE7N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MR051C222KAATR2 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR051C222KAATR2.pdf | |
![]() | T95R226M050HZSS | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V 2824 (7260 Metric) 390 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R226M050HZSS.pdf | |
![]() | 16H07-660 | FUSE 16AMP 660V AC / 250V AC | 16H07-660.pdf | |
![]() | ESDALCL6-2SC6 | TVS DIODE 3VWM 17VC SOT23-6 | ESDALCL6-2SC6.pdf | |
![]() | A5KP250A-G | TVS DIODE 250VWM 405VC R-6 | A5KP250A-G.pdf | |
![]() | 84137112 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck | 84137112.pdf | |
![]() | RR0816P-7151-D-83H | RES SMD 7.15KOHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816P-7151-D-83H.pdf | |
![]() | ERA-8ARW272V | RES SMD 2.7K OHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW272V.pdf | |
![]() | MCR18EZHJ432 | RES SMD 4.3K OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ432.pdf | |
![]() | FSS010WNGR | Resistive Force Sensor 0 ~ 10N | FSS010WNGR.pdf |