창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP055N03LGXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IP(B,P)055N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 68W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP055N03L G IPP055N03LGIN IPP055N03LGIN-ND IPP055N03LGXK SP000680806 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP055N03LGXKSA1 | |
관련 링크 | IPP055N0, IPP055N03LGXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
50YXA4R7MTA5X11 | 4.7µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | 50YXA4R7MTA5X11.pdf | ||
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PFR5151J100J11L4BULK | 150pF Film Capacitor 63V 100V Polypropylene (PP) Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | PFR5151J100J11L4BULK.pdf | ||
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SG7050EBN 125.000000M-CJGA3 | 125MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 75mA Enable/Disable | SG7050EBN 125.000000M-CJGA3.pdf | ||
SIT8008AI-22-33E-100.00000E | OSC XO 3.3V 100MHZ OE | SIT8008AI-22-33E-100.00000E.pdf | ||
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QBLP653B-IR1 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 50mA 1.6mW/sr @ 20mA 15° 1209 (3224 Metric) | QBLP653B-IR1.pdf | ||
HK100510NJ-T | 10nH Unshielded Multilayer Inductor 340mA 310 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | HK100510NJ-T.pdf | ||
RT0402FRE07137RL | RES SMD 137 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE07137RL.pdf | ||
AF1210FR-0736R5L | RES SMD 36.5 OHM 1% 1/2W 1210 | AF1210FR-0736R5L.pdf |