창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP072N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPP,IPI072N10N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4910pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP072N10N3 G IPP072N10N3 G-ND IPP072N10N3G SP000680830 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP072N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP072N1, IPP072N10N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RT1206BRC0743KL | RES SMD 43K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC0743KL.pdf | |
![]() | RT0805BRB07665RL | RES SMD 665 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB07665RL.pdf | |
![]() | CRCW0805511RFKEB | RES SMD 511 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805511RFKEB.pdf | |
![]() | CRCW0201261RFNED | RES SMD 261 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201261RFNED.pdf | |
![]() | MA412.A.BI.001 | 829MHz, 1.9GHz, 2.6GHz LTE Dome RF Antenna 698MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 2.17GHz, 2.4GHz ~ 2.7GHz 8.1dBi Connector, Fakra Panel Mount | MA412.A.BI.001.pdf | |
![]() | ISZ-2510 | Gyroscope Z (Yaw) ±250, 500, 1000, 2000 5Hz ~ 8.8kHz I²C, SPI 16-QFN (3x3) | ISZ-2510.pdf |