창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP075N15N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx072,75N15N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5470pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP075N15N3 G IPP075N15N3 G-ND IPP075N15N3G SP000680832 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP075N15N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP075N1, IPP075N15N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | 36D102F400CE2A | 1000µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 1000 Hrs @ 85°C | 36D102F400CE2A.pdf | |
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![]() | 1N5362C/TR12 | DIODE ZENER 28V 5W T18 | 1N5362C/TR12.pdf | |
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![]() | MHQ1005P33NJTD25 | 33nH Unshielded Multilayer Inductor 220mA 1.5 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P33NJTD25.pdf | |
![]() | CDRH10D68/ANP-220MC | 22µH Shielded Inductor 2.05A 51.3 mOhm Max Nonstandard | CDRH10D68/ANP-220MC.pdf | |
![]() | LR1F16R | RES 16.0 OHM 0.6W 1% AXIAL | LR1F16R.pdf | |
![]() | MBB02070C6201DC100 | RES 6.2K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C6201DC100.pdf | |
![]() | HMC451LP3E | RF Amplifier IC General Purpose 5GHz ~ 18GHz 16-SMT (3x3) | HMC451LP3E.pdf | |
![]() | IMN633010M12 | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | IMN633010M12.pdf |