창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP083N10N5AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPP083N10N5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 73A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 49µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001226036 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP083N10N5AKSA1 | |
관련 링크 | IPP083N1, IPP083N10N5AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | NRS3015T1R5NNGHV | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.82A 45.6 mOhm Max Nonstandard | NRS3015T1R5NNGHV.pdf | |
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![]() | RCP0603B1K60JS2 | RES SMD 1.6K OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B1K60JS2.pdf | |
![]() | CRCW1206619KFKTB | RES SMD 619K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206619KFKTB.pdf | |
RSMF3JBR200 | RES METAL OX 3W 0.2 OHM 5% AXL | RSMF3JBR200.pdf | ||
![]() | CW0104R640JE733 | RES 4.64 OHM 13W 5% AXIAL | CW0104R640JE733.pdf | |
![]() | 40FR20 | RES 0.2 OHM 10W 1% AXIAL | 40FR20.pdf |