Infineon Technologies IPP093N06N3GXKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPP093N06N3GXKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPP093N06N3GXKSA1 가격 및 조달
가능 수량
1818 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 518.91800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPP093N06N3GXKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPP093N06N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP093N06N3GXKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPP093N06N3GXKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPP093N06N3GXKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP093N06N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB,IPP090,093N06N3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP093N06N3 G IPP093N06N3 G-ND IPP093N06N3G SP000680852 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPP093N06N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP093N0, IPP093N06N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPP093N06N3GXKSA1 의 관련 제품
 | EEE-TQV101XAP | 100µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 300 mOhm 2000 Hrs @ 125°C | EEE-TQV101XAP.pdf | |
 | GRM3166S1H220JZ01D | 22pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM3166S1H220JZ01D.pdf | |
 | GL153F23IET | 15.36MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL153F23IET.pdf | |
 | SIT9002AI-48H18EB | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | SIT9002AI-48H18EB.pdf | |
 | 3057Y-1-100 | 10 Ohm 1W PC Pins Chassis Mount Trimmer Potentiometer Wirewound 22 Turn Side Adjustment | 3057Y-1-100.pdf | |
| 2297329 | Solid State Contactor 3PST (3 Form A) Module | 2297329.pdf | |
 | RMCF0402FT196K | RES SMD 196K OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT196K.pdf | |
 | RL1206FR-070R04L | RES SMD 0.04 OHM 1% 1/4W 1206 | RL1206FR-070R04L.pdf | |
.jpg) | RT0603DRD07430KL | RES SMD 430K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07430KL.pdf | |
| H426R7BYA | RES 26.7 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H426R7BYA.pdf | |
 | 10 INCH-D1-P4V-MINI | Pressure Sensor ±0.36 PSI (±2.49 kPa) Differential Male - 0.08" (2.03mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.25 V 4-SIP Module | 10 INCH-D1-P4V-MINI.pdf | |
| P51-75-S-O-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-S-O-D-4.5V-000-000.pdf |
