Infineon Technologies IPP100N04S4H2AKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPP100N04S4H2AKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPP100N04S4H2AKSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 899.39700
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPP100N04S4H2AKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPP100N04S4H2AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP100N04S4H2AKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPP100N04S4H2AKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPP100N04S4H2AKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP100N04S4H2AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx100N04S4-H2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 70µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP100N04S4-H2 IPP100N04S4-H2-ND SP000711278 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPP100N04S4H2AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP100N04, IPP100N04S4H2AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPP100N04S4H2AKSA1 의 관련 제품
 | LNR1H334MSE | 330000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5000 Hrs @ 85°C | LNR1H334MSE.pdf | |
 | C0805X339D1GAC7210 | 3.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805X339D1GAC7210.pdf | |
 | AQ12EA130FAJBE | 13pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EA130FAJBE.pdf | |
 | BFC237021823 | 0.082µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC237021823.pdf | |
| MKP385447200JPP2T0 | 0.47µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.945" W (42.00mm x 24.00mm) | MKP385447200JPP2T0.pdf | |
 | 7C25000123 | 25MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable | 7C25000123.pdf | |
 | EPC2035 | TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE | EPC2035.pdf | |
.jpg) | B82422A3391K100 | 390nH Unshielded Wirewound Inductor 190mA 1.4 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | B82422A3391K100.pdf | |
 | ERJ-PA3F47R0V | RES SMD 47 OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F47R0V.pdf | |
 | RG2012V-682-W-T1 | RES SMD 6.8K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-682-W-T1.pdf | |
| Y162510K0000B49R | RES SMD 10K OHM 0.1% 0.3W 1206 | Y162510K0000B49R.pdf | |
 | 4416P-1-512 | RES ARRAY 8 RES 5.1K OHM 16SOIC | 4416P-1-512.pdf |
