Infineon Technologies IPP100N06S205AKSA2
- 제조업체 부품 번호
- IPP100N06S205AKSA2
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPP100N06S205AKSA2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,672.00400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPP100N06S205AKSA2, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPP100N06S205AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP100N06S205AKSA2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPP100N06S205AKSA2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPP100N06S205AKSA2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP100N06S205AKSA2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx100N06S2-05 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev Obs 30/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5110pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001067938 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPP100N06S205AKSA2 | |
| 관련 링크 | IPP100N06, IPP100N06S205AKSA2 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPP100N06S205AKSA2 의 관련 제품
 | 380LX153M050K052 | 15000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 27 mOhm 3000 Hrs @ 85°C | 380LX153M050K052.pdf | |
 | 16ZL68MEFCTZ6.3X7 | 68µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | 16ZL68MEFCTZ6.3X7.pdf | |
 | FNQ-R-2-1/2 | FUSE CARTRIDGE 2.5A 600VAC 5AG | FNQ-R-2-1/2.pdf | |
 | 416F320X2CTR | 32MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X2CTR.pdf | |
 | EG-2121CA 125.0000M-LHPN | 125MHz LVDS SO (SAW) Oscillator Surface Mount 2.5V 30mA Enable/Disable | EG-2121CA 125.0000M-LHPN.pdf | |
 | SIT3808AC-D-25EZ | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA Enable/Disable | SIT3808AC-D-25EZ.pdf | |
 | AM01ZV1 | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | AM01ZV1.pdf | |
 | 2SC5095-O(TE85L,F) | TRANSISTOR NPN MM-USM | 2SC5095-O(TE85L,F).pdf | |
 | LQW15AN15NJ00D | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 460mA 160 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN15NJ00D.pdf | |
 | 36501E9N0JTDG | 9nH Unshielded Wirewound Inductor 680mA 104 mOhm Max 0503 (1308 Metric) | 36501E9N0JTDG.pdf | |
.jpg) | PE0402FRF070R025L | RES SMD 0.025 OHM 1% 1/16W 0402 | PE0402FRF070R025L.pdf | |
 | TWM3J1K0E | RES 1K OHM 3W 5% RADIAL | TWM3J1K0E.pdf |
