창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N06S2L05AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP100N06S2L-05 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP100N06S2L-05 IPP100N06S2L-05-ND SP000218879 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP100N06S2L05AKSA1 | |
관련 링크 | IPP100N06, IPP100N06S2L05AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | BFC238025433 | 0.043µF Film Capacitor 63V 100V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC238025433.pdf | |
![]() | C22G32 | FUSE CRTRDGE 32A 690VAC NON STD | C22G32.pdf | |
![]() | SMCJ150AHE3/9AT | TVS DIODE 150VWM 243VC SMC | SMCJ150AHE3/9AT.pdf | |
![]() | MSRT250160(A) | DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER | MSRT250160(A).pdf | |
![]() | CDBA2100-HF | DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC | CDBA2100-HF.pdf | |
![]() | UNR32A300L | TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 | UNR32A300L.pdf | |
![]() | CRCW121013K3FKEAHP | RES SMD 13.3K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121013K3FKEAHP.pdf | |
![]() | CP00053R300JE66 | RES 3.3 OHM 5W 5% AXIAL | CP00053R300JE66.pdf | |
![]() | ADL5358ACPZ-R7 | RF Mixer IC Cellular 500MHz ~ 1.7GHz 36-LFCSP (6x6) | ADL5358ACPZ-R7.pdf | |
![]() | WM503J1A | NTC Thermistor 50k DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | WM503J1A.pdf |