창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N08S207AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx100N08S2-07 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 20/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.1m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP100N08S2-07 IPP100N08S2-07-ND SP000219005 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP100N08S207AKSA1 | |
관련 링크 | IPP100N08, IPP100N08S207AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MKP1840510406 | 1µF Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | MKP1840510406.pdf | |
![]() | CDS10FC271JO3 | MICA | CDS10FC271JO3.pdf | |
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![]() | 416F38435CSR | 38.4MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38435CSR.pdf | |
![]() | 1330-20F | 1µH Unshielded Inductor 390mA 1 Ohm Max 2-SMD | 1330-20F.pdf | |
![]() | EL205-V | Optoisolator Transistor with Base Output 3750Vrms 1 Channel 8-SOP | EL205-V.pdf | |
![]() | RG3216V-5900-B-T5 | RES SMD 590 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-5900-B-T5.pdf | |
![]() | CMF55427R00DHEK | RES 427 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55427R00DHEK.pdf | |
![]() | CP00253R000KE14 | RES 3 OHM 25W 10% AXIAL | CP00253R000KE14.pdf | |
![]() | P51-50-G-T-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-G-T-MD-4.5V-000-000.pdf |