창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP111N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 83A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.1m옴 @ 83A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 160µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3230pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP111N15N3G IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP111N15N3 G | |
관련 링크 | IPP111, IPP111N15N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | GQM1885C2A3R9BB01D | 3.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1885C2A3R9BB01D.pdf | |
![]() | C330C824K5R5TA | 0.82µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | C330C824K5R5TA.pdf | |
![]() | CBR06C209B1GAC | 2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C209B1GAC.pdf | |
![]() | VJ0402D1R8CXCAP | 1.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R8CXCAP.pdf | |
![]() | C330C153K2R5TA | 0.015µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | C330C153K2R5TA.pdf | |
![]() | VJ0805D271MLXAJ | 270pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D271MLXAJ.pdf | |
TVS360 | TVS DIODE 60VWM 105VC AXIAL | TVS360.pdf | ||
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![]() | AF162-JR-071ML | RES ARRAY 2 RES 1M OHM 0606 | AF162-JR-071ML.pdf | |
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