창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP111N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 83A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.1m옴 @ 83A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 160µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3230pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP111N15N3G IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP111N15N3 G | |
관련 링크 | IPP111, IPP111N15N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ECS-160-20-3X-TR | 16MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-160-20-3X-TR.pdf | |
![]() | MLCSWT-H1-0000-0000F6 | LED Lighting XLamp® ML-C White, Warm 3750K 6.4V 50mA 120° 4-SMD, J-Lead Exposed Pad | MLCSWT-H1-0000-0000F6.pdf | |
![]() | VO610A-3X007T | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | VO610A-3X007T.pdf | |
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![]() | ERJ-2RKF5231X | RES SMD 5.23K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF5231X.pdf | |
![]() | MRS25000C1211FRP00 | RES 1.21K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1211FRP00.pdf | |
![]() | CMF55170R00FKEK | RES 170 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55170R00FKEK.pdf | |
![]() | MF1S5030XDA4/V1J | RFID Transponder IC 13.56MHz ISO 14443, MIFARE UART MOA4, Smart Card Module | MF1S5030XDA4/V1J.pdf | |
![]() | NSCMANN001BDUNV | Pressure Sensor ±14.5 PSI (±100 kPa) Differential Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0 mV ~ 150 mV (5V) 8-SMD, J-Lead, Top Port | NSCMANN001BDUNV.pdf |