Infineon Technologies IPP126N10N3GXKSA1

IPP126N10N3GXKSA1
제조업체 부품 번호
IPP126N10N3GXKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
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IPP126N10N3GXKSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPP126N10N3GXKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPB123N10N3G, (IPP,IPI)126N10N3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C58A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs12.3m옴 @ 46A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 46µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs35nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2500pF @ 50V
전력 - 최대94W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 500
다른 이름IPP126N10N3 G
IPP126N10N3 G-ND
SP000683088
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPP126N10N3GXKSA1
관련 링크IPP126N1, IPP126N10N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPP126N10N3GXKSA1 의 관련 제품
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120nH Unshielded Multilayer Inductor 100mA 2.5 Ohm Max 0402 (1005 Metric) L-07CR12KV6T.pdf
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RES SMD 4.64KOHM 0.05% 1/4W 1206 RG3216V-4641-W-T1.pdf
RES 95.3K OHM 1/2W 1% AXIAL CMF5595K300FKEB.pdf
RES 4.7K OHM 5W 5% RADIAL TA205PA4K70J.pdf