창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP147N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.7m옴 @ 56A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 61µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP147N12N3G IPP147N12N3GXKSA1 SP000652742 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP147N12N3 G | |
관련 링크 | IPP147, IPP147N12N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TV15C111J-HF | TVS DIODE 110VWM 177VC SMC | TV15C111J-HF.pdf | |
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![]() | IRFR9014NTRR | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK | IRFR9014NTRR.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF1500U | RES SMD 150 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1500U.pdf | |
![]() | CRCW12101R96FKEAHP | RES SMD 1.96 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12101R96FKEAHP.pdf | |
![]() | RG1608N-2211-W-T1 | RES SMD 2.21K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-2211-W-T1.pdf | |
![]() | RG2012N-53R6-W-T1 | RES SMD 53.6 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-53R6-W-T1.pdf | |
![]() | 4816P-T02-510LF | RES ARRAY 15 RES 51 OHM 16SOIC | 4816P-T02-510LF.pdf | |
![]() | RNMF12FTC16K5 | RES 16.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNMF12FTC16K5.pdf | |
![]() | MS46SR-20-260-Q1-10X-10R-NC-AP | SYSTEM | MS46SR-20-260-Q1-10X-10R-NC-AP.pdf |