창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP147N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.7m옴 @ 56A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 61µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP147N12N3G IPP147N12N3GXKSA1 SP000652742 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP147N12N3 G | |
관련 링크 | IPP147, IPP147N12N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ1206A681KBCAT4X | 680pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A681KBCAT4X.pdf | |
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![]() | SA78A-E3/73 | TVS DIODE 78VWM 126VC DO204AC | SA78A-E3/73.pdf | |
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![]() | IMC1812RQ150K | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 2.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RQ150K.pdf | |
![]() | 103R-122J | 1.2µH Unshielded Inductor 360mA 740 mOhm Max 2-SMD | 103R-122J.pdf | |
![]() | CRCW251226K7FKEHHP | RES SMD 26.7K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251226K7FKEHHP.pdf | |
![]() | 4116R-1-180 | RES ARRAY 8 RES 18 OHM 16DIP | 4116R-1-180.pdf | |
![]() | FKN100JR-73-2R7 | RES 2.7 OHM 1W 5% AXIAL | FKN100JR-73-2R7.pdf | |
![]() | SI1002-ESB2-GMR | IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz EZRadioPro 240MHz ~ 960MHz 42-WFQFN Exposed Pad | SI1002-ESB2-GMR.pdf | |
![]() | VN101504 | Magnetic Hall Effect Sensor Ferrous Vane Digital Wire Leads Module | VN101504.pdf |