Infineon Technologies IPP200N25N3 G

IPP200N25N3 G
제조업체 부품 번호
IPP200N25N3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
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내부 부품 번호EIS-IPP200N25N3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPx200N25N3 G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)250V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C64A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs20m옴 @ 64A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 270µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs86nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7100pF @ 100V
전력 - 최대300W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 500
다른 이름IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPP200N25N3 G
관련 링크IPP200, IPP200N25N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPP200N25N3 G 의 관련 제품
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RES SMD 34.8 OHM 1% 1W 2512 ERJ-1TNF34R8U.pdf
RES SMD 4.64K OHM 1% 1/10W 0603 RMCF0603FT4K64.pdf
RES SMD 100K OHM 5% 1/5W 0603 CRGH0603J100K.pdf
RES SMD 400OHM 0.01% 0.6W J LEAD Y1169400R000T13R.pdf
RES ARRAY 4 RES 1.2K OHM 1206 MNR14E0APJ122.pdf
RES 1M OHM 1W 1% AXIAL CMF601M0000FEEK.pdf
480MHz Whip, Straight RF Antenna 470MHz ~ 490MHz 0dB Connector, NMO Base Mount QW470.pdf