창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP320N20N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx320N20N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 34A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP320N20N3G IPP320N20N3GXKSA1 SP000677842 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP320N20N3 G | |
관련 링크 | IPP320, IPP320N20N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | UPJ1A102MPD1TD | 1000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ1A102MPD1TD.pdf | |
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![]() | VJ1812Y122JBEAT4X | 1200pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y122JBEAT4X.pdf | |
![]() | C947U821KZYDBAWL45 | 820pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C947U821KZYDBAWL45.pdf | |
![]() | VBT3060G-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 15A 60V TO-263AB | VBT3060G-E3/4W.pdf | |
![]() | ISL9V5036S3ST | IGBT 390V 46A 250W TO263AB | ISL9V5036S3ST.pdf | |
![]() | MP4-2E-4LL-01 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-2E-4LL-01.pdf | |
![]() | RT1206FRD0741R2L | RES SMD 41.2 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0741R2L.pdf | |
![]() | AT0603DRD07137KL | RES SMD 137K OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD07137KL.pdf | |
![]() | 20JR13E | RES 0.13 OHM 10W 5% AXIAL | 20JR13E.pdf | |
![]() | Y5077100R000V0L | RES 100 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y5077100R000V0L.pdf | |
![]() | F2M03G-KIT-1 | KIT EVAL G MOD SNGL (NO OEM BRD) | F2M03G-KIT-1.pdf |