창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP47N10S33AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx47N10S-33 | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev Obs 30/Mar/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 175W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP47N10S-33 IPP47N10S-33-ND IPP47N10S33 SP000225706 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP47N10S33AKSA1 | |
관련 링크 | IPP47N10, IPP47N10S33AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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RC1210JR-077M5L | RES SMD 7.5M OHM 5% 1/2W 1210 | RC1210JR-077M5L.pdf | ||
LVC20JR180EV | RES SMD 0.18 OHM 5% 3/4W 2010 | LVC20JR180EV.pdf | ||
H827RBCA | RES 27.0 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H827RBCA.pdf |