Infineon Technologies IPP60R060C7XKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPP60R060C7XKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPP60R060C7XKSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 7,676.11200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPP60R060C7XKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPP60R060C7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R060C7XKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPP60R060C7XKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPP60R060C7XKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R060C7XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPP60R060C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 15.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 800µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2850pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 162W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001385014 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R060C7XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP60R06, IPP60R060C7XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPP60R060C7XKSA1 의 관련 제품
 | ECA-2AHG330BJ | 33µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | ECA-2AHG330BJ.pdf | |
 | LPX391M250E1P3 | 390µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 510 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | LPX391M250E1P3.pdf | |
 | GJM0335C1E1R6BB01D | 1.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E1R6BB01D.pdf | |
 | 2027-35-BLF | GDT 350V 15% 10KA THROUGH HOLE | 2027-35-BLF.pdf | |
 | 416F250X2AKT | 25MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X2AKT.pdf | |
 | HF1008R-121G | 120nH Unshielded Inductor 405mA 910 mOhm Max Nonstandard | HF1008R-121G.pdf | |
 | S0603-33NF3E | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-33NF3E.pdf | |
 | CRCW25121K02FKTG | RES SMD 1.02K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25121K02FKTG.pdf | |
| Y1521V0177VV0L | RES ARRAY 4 RES 4K OHM 8SMD | Y1521V0177VV0L.pdf | |
 | RNV14FAL180K | RES MF HV .25W 180K OHM 1% AXIAL | RNV14FAL180K.pdf | |
 | CMF558M0000FKEB | RES 8M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF558M0000FKEB.pdf | |
 | PF2205-0R3F1 | RES 0.3 OHM 50W 1% TO220 | PF2205-0R3F1.pdf |
