창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R190C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx60R190C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP60R190C6XKSA1 SP000621158 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP60R190C6 | |
관련 링크 | IPP60, IPP60R190C6 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
URZ1E470MDD1TD | 47µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | URZ1E470MDD1TD.pdf | ||
MD015A220JAB | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2-DIP 0.260" L x 0.100" W(6.60mm x 2.54mm) | MD015A220JAB.pdf | ||
BAF-4 | FUSE CARTRIDGE 4A 250VAC 5AG | BAF-4.pdf | ||
HSM550JE3/TR13 | DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AB | HSM550JE3/TR13.pdf | ||
B78108T1562J | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1.3 Ohm Max Axial | B78108T1562J.pdf | ||
2122E | ADJUSTABLE LUG FOR DIVIDOHM | 2122E.pdf | ||
TNPW08053K01BETA | RES SMD 3.01K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW08053K01BETA.pdf | ||
RNF14FTD301R | RES 301 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD301R.pdf | ||
SFR16S0009092FA500 | RES 90.9K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0009092FA500.pdf | ||
CW010160R0JE12 | RES 160 OHM 13W 5% AXIAL | CW010160R0JE12.pdf | ||
MMG20271H9T1 | RF Amplifier IC LTE, TDS-CDMA, W-CDMA 1.5GHz ~ 2.7GHz SOT-89A | MMG20271H9T1.pdf | ||
SI4766-A42-GM | - RF Receiver 64MHz ~ 108MHz 40-QFN (6x6) | SI4766-A42-GM.pdf |