창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R199CPXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPP60R199CP | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 9.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 660µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1520pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 139W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP60R199CP IPP60R199CP-ND IPP60R199CPAKSA1 IPP60R199CPIN IPP60R199CPIN-ND IPP60R199CPX IPP60R199CPXK SP000084278 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP60R199CPXKSA1 | |
관련 링크 | IPP60R19, IPP60R199CPXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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744787068 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 3A 33 mOhm Max 2-SMD | 744787068.pdf | ||
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![]() | RMCP2010FT6M81 | RES SMD 6.81M OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT6M81.pdf | |
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![]() | QSB34GR | Photodiode 940nm 50ns 120° 2-SMD, Gull Wing | QSB34GR.pdf |