창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R299CPXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPP60R299CP | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP60R299CP IPP60R299CPAKSA1 IPP60R299CPIN IPP60R299CPIN-ND IPP60R299CPX IPP60R299CPXK IPP60R299CPXTIN IPP60R299CPXTIN-ND SP000084280 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP60R299CPXKSA1 | |
관련 링크 | IPP60R29, IPP60R299CPXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
50MH51MEFCTZ4X5 | 1µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | 50MH51MEFCTZ4X5.pdf | ||
![]() | 06033A2R0D4T2A | 2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A2R0D4T2A.pdf | |
![]() | VJ0402D9R1DXBAC | 9.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D9R1DXBAC.pdf | |
![]() | F339MX224731JDI2B0 | 4700pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F339MX224731JDI2B0.pdf | |
![]() | MKP383243063JDI2B0 | 4300pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP383243063JDI2B0.pdf | |
![]() | SMCJ28CA-HR | TVS DIODE 28VWM 45.4VC | SMCJ28CA-HR.pdf | |
![]() | FA-118T 30.0000MD12R-AG3 | 30MHz ±30ppm 수정 7pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-118T 30.0000MD12R-AG3.pdf | |
![]() | 416F380XXCDT | 38MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380XXCDT.pdf | |
![]() | FIT68-1 | 89.5µH Unshielded Toroidal Inductor 2.8A 108 mOhm Max Radial | FIT68-1.pdf | |
![]() | IHLP2525CZERR82M5A | 820nH Shielded Molded Inductor 13.8A 7.22 mOhm Max Nonstandard | IHLP2525CZERR82M5A.pdf | |
![]() | AA2010JK-071R6L | RES SMD 1.6 OHM 5% 3/4W 2010 | AA2010JK-071R6L.pdf | |
![]() | 4610H-102-470LF | RES ARRAY 5 RES 47 OHM 10SIP | 4610H-102-470LF.pdf |