창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S207AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80N06S2-07 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 68A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S2-07 IPP80N06S2-07-ND SP000218810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S207AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06, IPP80N06S207AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | B43601G2687M | 680µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 130 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601G2687M.pdf | |
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![]() | SIT8008BC-13-33E-64.800000E | OSC XO 3.3V 64.8MHZ | SIT8008BC-13-33E-64.800000E.pdf | |
![]() | 6609976-1 | 16FC10B=F7740B | 6609976-1.pdf | |
![]() | 1812R-221F | 220nH Unshielded Inductor 708mA 400 mOhm Max 2-SMD | 1812R-221F.pdf | |
![]() | RPC1206JT300K | RES SMD 300K OHM 5% 1/3W 1206 | RPC1206JT300K.pdf | |
![]() | TNPW08059K20BEEA | RES SMD 9.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW08059K20BEEA.pdf | |
![]() | RL3720WT-R016-F | RES SMD 0.016 OHM 1W 1508 WIDE | RL3720WT-R016-F.pdf | |
![]() | PAT0603E6900BST1 | RES SMD 690 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E6900BST1.pdf | |
![]() | TNPW1210402KBEEA | RES SMD 402K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210402KBEEA.pdf | |
![]() | Y00072K10500B9L | RES 2.105K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00072K10500B9L.pdf |