창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S2H5AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP80N06S2-H5 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 230µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S2-H5 IPP80N06S2-H5-ND SP000218155 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S2H5AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06, IPP80N06S2H5AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SIT9120AC-2B1-XXE50.000000Y | OSC XO 50MHZ | SIT9120AC-2B1-XXE50.000000Y.pdf | |
![]() | CDBER43-HF | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0503 | CDBER43-HF.pdf | |
![]() | 3EZ6.8D2/TR12 | DIODE ZENER 6.8V 3W DO204AL | 3EZ6.8D2/TR12.pdf | |
![]() | MLG0402P2N7BT000 | 2.7nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402P2N7BT000.pdf | |
![]() | 3-1415002-1 | RELAY GEN PURP | 3-1415002-1.pdf | |
![]() | AT1206DRD0734R8L | RES SMD 34.8 OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD0734R8L.pdf | |
![]() | EXB-34V3R3JV | RES ARRAY 2 RES 3.3 OHM 0606 | EXB-34V3R3JV.pdf |