창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S2L09AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP80N06S2L-09 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 52A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 125µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S2L-09 IPP80N06S2L-09-ND SP000218742 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S2L09AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06S, IPP80N06S2L09AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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BFC242011004 | 0.1µF Film Capacitor 160V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | BFC242011004.pdf | ||
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FP0807R1-R20-R | 200nH Unshielded Wirewound Inductor 49A 0.5 mOhm Nonstandard | FP0807R1-R20-R.pdf | ||
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PWR221T-30-50R0J | RES 50 OHM 30W 5% TO220 | PWR221T-30-50R0J.pdf | ||
P51-100-G-Z-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-G-Z-MD-4.5V-000-000.pdf |