창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S2LH5AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP80N06S2L-H5 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S2L-H5 IPP80N06S2L-H5-ND SP000219067 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S2LH5AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06S, IPP80N06S2LH5AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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LGU2D331MELY | 330µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGU2D331MELY.pdf | ||
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G22041432208J4C000 | RES 2.2 OHM 5% WW | G22041432208J4C000.pdf | ||
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CP0402A1880DNTR | RF Directional Coupler PCS 1.85GHz ~ 1.91GHz 18.2dB 3W 0402 (1005 Metric) | CP0402A1880DNTR.pdf |