Infineon Technologies IPP80P04P4L08AKSA1

IPP80P04P4L08AKSA1
제조업체 부품 번호
IPP80P04P4L08AKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH TO220-3
Datesheet 다운로드
다운로드
IPP80P04P4L08AKSA1 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 586.56300
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IPP80P04P4L08AKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPP80P04P4L08AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80P04P4L08AKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IPP80P04P4L08AKSA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPP80P04P4L08AKSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPP80P04P4L08AKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPx80P04P4L-08
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열자동차, AEC-Q101, OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.2m옴@ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 120µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs92nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5430pF @ 25V
전력 - 최대75W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지PG-TO220-3-1
표준 포장 500
다른 이름SP000840212
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IPP80P04P4L08AKSA1
관련 링크IPP80P04P, IPP80P04P4L08AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPP80P04P4L08AKSA1 의 관련 제품
0.047µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.157" W(5.50mm x 4.00mm) FK11C0G1H473J.pdf
8.2pF 100V 세라믹 커패시터 S2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) GRM2196S2A8R2DD01D.pdf
FUSE 100A 1600V 1 STN/175 AR 170E4470.pdf
TVS DIODE 24VWM 55VC SL24.TCT.pdf
24.576MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) FA-238 24.5760MB-C3.pdf
25MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445I35K25M00000.pdf
1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Standby SIT8008AIA2-18S.pdf
DIODE MODULE 2.2KV 224A Y4-M6 MDD200-22N1.pdf
820nH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 2.35 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 36502AR82JTDG.pdf
RES SMD 1.07K OHM 1% 1/20W 0201 ERJ-1GEF1071C.pdf
RES SMD 5.23K OHM 1% 1/10W 0402 ERJ-S02F5231X.pdf
RES SMD 301K OHM 1% 1/4W 1206 CRCW1206301KFHEAP.pdf