Infineon Technologies IPP90R1K0C3XKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPP90R1K0C3XKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPP90R1K0C3XKSA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,220.54600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPP90R1K0C3XKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPP90R1K0C3XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP90R1K0C3XKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPP90R1K0C3XKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPP90R1K0C3XKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP90R1K0C3XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPP90R1K0C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 3.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 370µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 89W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP90R1K0C3 IPP90R1K0C3-ND SP000413744 SP000683094 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPP90R1K0C3XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP90R1K, IPP90R1K0C3XKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPP90R1K0C3XKSA1 의 관련 제품
 | B43458A9109M3 | 10000µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 6 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | B43458A9109M3.pdf | |
 | VJ1808A272JBBAT4X | 2700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A272JBBAT4X.pdf | |
 | GRM0336S1E8R3CD01D | 8.3pF 25V 세라믹 커패시터 S2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336S1E8R3CD01D.pdf | |
 | C901U102MZVDCAWL45 | 1000pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U102MZVDCAWL45.pdf | |
| C901U909DZNDCA7317 | 9pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U909DZNDCA7317.pdf | |
| FVXO-HC73BR-40.00833 | 40.00833MHz HCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FVXO-HC73BR-40.00833.pdf | |
 | STPS20SM100SR | DIODE SCHOTTKY 100V 20A I2PAK | STPS20SM100SR.pdf | |
 | NRV2012T3R3MGF | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 272.4 mOhm Max Nonstandard | NRV2012T3R3MGF.pdf | |
 | HF1008R-621J | 620nH Unshielded Inductor 290mA 1.75 Ohm Max Nonstandard | HF1008R-621J.pdf | |
 | CRCW040256R0JNED | RES SMD 56 OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW040256R0JNED.pdf | |
| Y16259K40000Q24R | RES SMD 9.4K OHM 0.02% 0.3W 1206 | Y16259K40000Q24R.pdf | |
 | CRCW12067R50FNEA | RES SMD 7.5 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12067R50FNEA.pdf |
