창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPSAT-GM1P9-5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPS Series Datasheet | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 압력 센서, 트랜스듀서 | |
제조업체 | Cynergy 3 | |
계열 | * | |
부품 현황 | * | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPSAT-GM1P9-5 | |
관련 링크 | IPSAT-, IPSAT-GM1P9-5 Datasheet, Cynergy 3 Distributor |
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![]() | TAP226K025HSB | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V Radial 1.5 Ohm 0.276" Dia (7.00mm) | TAP226K025HSB.pdf | |
![]() | 0034.1521 | FUSE GLASS 3.15A 250VAC 5X20MM | 0034.1521.pdf | |
![]() | 416F406X3ITT | 40.61MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406X3ITT.pdf | |
![]() | ASA2-16.000MHZ-L-T | 16MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 5mA Enable/Disable | ASA2-16.000MHZ-L-T.pdf | |
![]() | FDMC86160 | MOSFET N CH 100V 9A POWER33 | FDMC86160.pdf | |
![]() | GP2M010A065F | MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F | GP2M010A065F.pdf | |
AIUR-08-680K | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 120 mOhm Max Radial | AIUR-08-680K.pdf | ||
![]() | B78148T1222J | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 350 mOhm Max Radial | B78148T1222J.pdf | |
![]() | ISC1812BN181J | 180µH Shielded Wirewound Inductor 111mA 5.72 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812BN181J.pdf | |
![]() | RT1210WRB071K69L | RES SMD 1.69KOHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB071K69L.pdf | |
![]() | P51-1000-A-U-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-1000-A-U-D-5V-000-000.pdf |