Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1
제조업체 부품 번호
IPT020N10N3ATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
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내부 부품 번호EIS-IPT020N10N3ATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPT020N10N3 Preliminary
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C300A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2m옴 @ 150A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 272µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs156nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds11200pF @ 50V
전력 - 최대375W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-PowerSFN
공급 장치 패키지PG-HSOF-8-1
표준 포장 2,000
다른 이름IPT020N10N3
IPT020N10N3ATMA1TR
SP001100160
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPT020N10N3ATMA1
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