Infineon Technologies IPU50R1K4CEBKMA1

IPU50R1K4CEBKMA1
제조업체 부품 번호
IPU50R1K4CEBKMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
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내부 부품 번호EIS-IPU50R1K4CEBKMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPU50R1K4CE
PCN 설계/사양Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.1A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.4옴 @ 900mA, 13V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 70µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.2nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds178pF @ 100V
전력 - 최대25W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지PG-TO251-3
표준 포장 1,500
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPU50R1K4CEBKMA1
관련 링크IPU50R1K, IPU50R1K4CEBKMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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