창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPU60R1K5CEBKMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD60R1K5CE, IPU60R1K5CE | |
PCN 단종/ EOL | Halogen Free Upgrade 15/Jun/2015 | |
PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | TO-251 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001276062 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPU60R1K5CEBKMA1 | |
관련 링크 | IPU60R1K, IPU60R1K5CEBKMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RCV0805680KJNEA | RES SMD 680K OHM 5% 1/8W 0805 | RCV0805680KJNEA.pdf | |
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![]() | P51-100-G-E-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-G-E-D-5V-000-000.pdf |