창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF100S201 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF100(B,S)201 | |
PCN 설계/사양 | Material Chg 24/Nov/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 192A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 115A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 255nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9500pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 441W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263AB) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001550868 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF100S201 | |
관련 링크 | IRF10, IRF100S201 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 0876.630MRET1P | FUSE CERAMIC 630MA 250VAC AXIAL | 0876.630MRET1P.pdf | |
![]() | FXO-HC735-7.3728 | 7.3728MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC735-7.3728.pdf | |
![]() | BAS16LD,315 | DIODE GP 100V 215MA SOD882D | BAS16LD,315.pdf | |
![]() | NSVBAT54WT1G | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323 | NSVBAT54WT1G.pdf | |
![]() | DRB5051 | AC/DC CONVERTER 5V 50W | DRB5051.pdf | |
![]() | SP1210R-823G | 82µH Shielded Wirewound Inductor 162mA 7.9 Ohm Max Nonstandard | SP1210R-823G.pdf | |
![]() | RC0201DR-0762KL | RES SMD 62K OHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-0762KL.pdf | |
![]() | CMF6510R000BHEK | RES 10 OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF6510R000BHEK.pdf |