창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1010NSPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF1010N(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF1010NS Saber Model IRF1010NS Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 43A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF1010NSPBF 94-4153PBF 94-4153PBF-ND SP001559426 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF1010NSPBF | |
관련 링크 | IRF101, IRF1010NSPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | UHE1C472MHT | 4700µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHE1C472MHT.pdf | |
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![]() | VJ0805D391MLCAR | 390pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D391MLCAR.pdf | |
![]() | 06031A101JA12A | 100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A101JA12A.pdf | |
![]() | C1005Y5V1C104Z/50 | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005Y5V1C104Z/50.pdf | |
![]() | 170105K400VF | 1µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.669" Dia x 1.299" L (17.00mm x 33.00mm) | 170105K400VF.pdf | |
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